Перечень типовых услуг, предоставляемых на УНУ «УВН – ЗМ»

1. Предоставление доступа для получения микро- и наноразмерных пленок полупроводниковых и диэлектрических материалов на подложках различного состава диаметром 100 мм;

2. Формирование гомо- и гетероструктур различного функционального назначения.

3. Реактивное ионного травления многослойных гетероструктур нитридов алюминия - галлия – индия на подложках лейкосапфира или карбида кремния.

4. Травление сквозных отверстий в подложках фосфида индия и арсенида галлия.

5. Производство гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si и (SiC)1-x(AlN)x/3C-SiC/Si с заданными толщинами, уровнями легирования и допустимыми механическими напряжениями активных слоев на нанопористых подложках кремния, сапфира, пористого анодного оксида алюминия, карбида кремния и буферных слоях нитрида алюминия на сапфире и карбиде кремния  для приборов электроники, микро- и наносистемной техники.

6. Осаждение SiNx, SiO2 из газовой фазы на подложки с использованием плазменного разложения реакционного газа.